SK海力士订购200台HBM4测试设备，1.1万亿韩元计划加速推进

SK海力士正为其清州工厂下达高达4000亿韩元的HBM4测试设备订单，这是一项总额达1.1万亿韩元的扩张计划中首个切实的采购信号，该计划将重塑全球AI内存供应格局。

这家全球最大的高带宽内存制造商正在与多家半导体设备供应商洽谈，为其位于清州的P&T7先进封装设施订购约200台测试设备。据知情人士透露，每台HBM4测试设备的价格在15亿至20亿韩元之间，因此订单总价值高达4000亿韩元（约3.08亿美元）。该公司正在协调明年的可交付数量。

"这一设备订单的规模证实，SK海力士正在从规划阶段转向HBM4的量产执行阶段，"Edgen半导体供应链分析师Rachel Kim表示。"测试能力是HBM产能爬坡的关键制约因素——这些设备在堆叠内存芯片出货给英伟达等客户之前，负责对其进行验证。"

此次采购正值SK海力士加速推进内存行业史上最激进的产能建设。6月29日，该公司公布了一项1.1万亿韩元的长期投资计划，涵盖三大地理支柱。原定于2045年完工的龙仁半导体集群，现在将提前至2033年——整整提前了12年。海力士为龙仁拨款600万亿韩元，该集群四座晶圆厂中的第一座已完成土木工程，进入洁净室基础设施阶段。首座洁净室预计于2027年2月启用。

清州获得100万亿韩元，用于NAND闪存扩张和HBM先进封装，其中包括目前的测试设备订单所指向的P&T7设施。海力士此前已宣布仅P&T7一项就将投入约19万亿韩元。韩国政府另披露，三星电子和SK海力士将在忠清地区合计投资81万亿韩元用于HBM封装设施。

第三大支柱是韩国西南部的一个新建半导体集群，SK海力士计划在此建造两座晶圆厂，总投资额达400万亿韩元，用于土地购置、建设和生产设备。具体选址仍在与中央及地方政府商讨中。

HBM4领导地位的竞争格局

HBM4是下一代高带宽内存，通过垂直堆叠多个DRAM芯片，为英伟达和AMD的AI加速器提供极高的数据吞吐量。目前的HBM3E产品数据传输速率高达每秒1.2太字节；HBM4预计将带宽翻倍，同时降低每比特功耗。SK海力士一直是HBM领域的主导供应商，估计市场份额超过50%，领先于三星电子和美光科技。

清州的设备订单表明，SK海力士正在竞争对手之前部署HBM4生产线。三星已宣布其HBM4开发计划，但尚未披露相应的测试设备采购情况。第三方玩家美光则专注于在其台湾和美国工厂推进HBM3E的产能爬坡。

SK集团会长崔泰源在6月29日的国家简报会上表示，集团将额外投资1万亿韩元用于AI数据中心项目，使SK未来十年的计划总投资额达到每年超过100万亿韩元。该AI数据中心网络目标总容量达15吉瓦，首期5吉瓦将落地在电力和土地已获保障的区域。

政府支持与国家AI议程

SK海力士和三星的扩张计划——三星另宣布将在半导体、机器人、电池和生物领域进行2.655万亿韩元的国内投资——与韩国政府有史以来规模最大的半导体及AI产业规划相吻合。李在明总统领导的政府已将半导体、物理AI和AI数据中心定位为产业升级的"三大支柱"，目标是在五年内将DRAM产能翻倍。

对于设备供应商而言，P&T7的采购窗口提供了多年的订单可见度。服务于内存行业的测试设备制造商将直接受益，因为SK海力士的1.1万亿韩元计划将在2030年代初期转化为持续的资本支出。仅龙仁时间表的提前就将数年的晶圆厂建设和设备安装支出提前。

过去12个月，SK海力士股价上涨逾40%，使其成为韩国市值最高的上市公司，超越了三星电子。该股远期市盈率约为12倍，低于美国半导体同行，反映出投资者对AI内存周期能否维持当前势头的疑虑。而1.1万亿韩元的承诺——相当于韩国年GDP的约60%——则表明了管理层对需求将保持结构性高位的信心。

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