摩根士丹利预警存储行业分化：2026年DRAM将跑赢NAND

存储超级周期仍在继续，但普涨格局即将终结。摩根士丹利敦促投资者优先选择DRAM而非NAND，并看好原厂而非模组厂。

摩根士丹利在给客户的报告中指出，存储周期依然有利，但交易已不再整齐划一。随着消费级定价见顶，该行建议优先配置DRAM而非NAND，并选择原厂而非模组厂。

"2027年AI相关NAND需求将同比增长60%，但服务器与消费级细分市场之间的定价动态已出现明显分化，"摩根士丹利分析师在7月2日发布的全球科技研究报告中写道。

该行更新的供需模型显示，2026年全球NAND供应存在15%的缺口，2027年缺口为9%。AI需求预计将从2025年占NAND总消费量的18%上升至2027年的41%，达到609艾字节。企业级SSD NAND价格在第三季度环比上涨30%，而消费级NAND仅录得小幅上涨。模组厂库存已攀升，分销商报告消费级存储库存处于高位。

这种分化之所以重要，是因为存储板块一直是半导体市场中表现最好的领域之一——仅2026年上半年，SanDisk就飙升了858%。如果消费级定价已经见顶，而模组厂面临利润率压缩，那么周期的下一阶段将奖赏选择性配置而非广泛敞口。

AI需求与消费级疲软分化加剧

该行模型预测，2027年NAND总需求将达到1484艾字节，高于2025年的1111艾字节，而供应预计为1347艾字节——存在9%的缺口。但短缺主要集中在服务器和AI产品领域。消费级NAND需求面临逆风：智能手机和PC客户在第二季度价格上涨后已开始削减订单，而在周期底部建立低成本库存的模组厂如今正眼睁睁看着这些缓冲库存被消耗。

长期协议正在重塑定价机制。此类合约通常同时包含价格上下限，在保护原厂利润率的同时也限制了进一步上行空间。客户更愿意为DRAM供应承诺支付溢价，而NAND价格上涨则遭遇了对成本敏感的消费电子买家的抵制。

DRAM为何优于NAND

摩根士丹利列举了偏好DRAM的四点理由。首先，DRAM长期协议条款更为有利，客户更愿意为供应保障支付溢价。其次，在AI计算和服务器更新周期的推动下，需求可见度更高。第三，供应纪律更严——极紫外光刻技术的制约限制了DRAM晶圆厂产能扩张的速度。第四，下一代高带宽内存HBM4E的潜在放量可能会挤占现有DRAM产能，进一步收紧供应。

在NAND领域，该行看好原厂而非模组厂。传统周期中，模组厂通过周期底部囤积低成本库存、上涨周期释放出货而获利。但在AI驱动下，短缺可能通过长期协议持续三至五年，这一模式正面临结构性压力。原厂控制着供应分配权，并将更多产出导向超大规模云客户，从而限制了模组厂进入企业级SSD和AI存储市场的渠道。亚洲SSD模组厂仅有10%至20%的收入来自企业级SSD，使其高度暴露于消费级疲软的风险之下。

该报告指出了三大风险：一是AI资本支出放缓，这将构成最大的宏观威胁；二是消费级持续疲软可能削弱NAND的广泛涨价逻辑；三是若新增晶圆产能投产速度快于需求增长，2028年可能出现供应过剩。反之，若新型AI推理SSD产品进入量产——其容量消耗约为标准SSD的三倍——供应可能进一步收紧。SanDisk、美光科技、三星电子和SK海力士是DRAM及NAND原厂偏好策略的主要受益者，而亚洲模组厂则面临最大的结构性风险。

本文仅供信息参考，不构成投资建议。