美光启动弗吉尼亚州 20 亿美元晶圆厂扩建工程，使美国产 DDR4 内存产能翻两番

美光科技公司（纳斯达克股票代码：MU）已在其弗吉尼亚州马纳萨斯工厂开始 1α (1-alpha) DRAM 制造，此举使其国内 DDR4 内存产量翻了两番，并标志着美国有史以来生产的最先进内存节点。此次扩建解决了主要 AI 数据中心热潮之外领域对长生命周期内存的迫切需求，加强了工业、汽车和国防应用的美国供应链。

“今天的成就美光 2000 亿美元投资计划的重要一步，该计划旨在扩大在美国的内存制造和研发，”美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示。“我们很自豪能将先进的 1α DRAM 制造带到美国本土，加强为美国客户和我们服务的全球市场提供的国内供应。”

对马纳萨斯晶圆厂超过 20 亿美元的投资预计将在 2026 日历年底前上线经过验证的基于 1α 的 DDR4 和 LP4 产品。该项目得到了联邦和州政府激励措施的支持，直接支持了该地区 3,100 多个工作岗位。美国商务部长 Howard Lutnick 出席了启动仪式并表示：“我们终于在美国制造内存半导体了……美光大规模的 2000 亿美元全国投资将使美国工业、汽车、国防和航空航天内存芯片的产量翻两番。”

这一战略扩张为需要成熟内存节点长期支持的客户提供了专用供应，而这一领域正面临行业转向高带宽内存 (HBM) 带来的压力。虽然美光是 AI 服务器 HBM 市场的关键参与者，但根据行业分析，该技术消耗的晶圆产能几乎是传统 DDR5 DRAM 的三倍。通过扩大其 1α DDR4 产能，美光确保其工业和汽车客户在 HBM 生产压力全球供应时不会被抛在后面。

华尔街权衡国内供应策略

这一公告发布之际，内存股票正处于波动期。美光股价周五下跌约 1%，至 754.61 美元，前一交易日上涨 4.1%。加强 DDR4 生产的举措是更大规模的 2000 亿美元美国投资战略的一部分，该战略包括位于爱达荷州和纽约州的新型领先制造基地，计划于 2027 年年中开始生产晶圆。

在 AI 时代对内存的无限需求推动下，华尔街对美光的发展轨迹保持普遍乐观态度。美银证券最近将其目标价上调至 950 美元，而瑞穗此前曾设定 800 美元的目标价，理由是 DRAM 和 NAND 的价格动态有利。该股在过去三年中飙升了 935%，反映了内存行业的繁荣周期。

美光对国内多元化制造的关注与三星电子等竞争对手形成了鲜明对比，后者最近正在应对韩国潜在的劳工罢工。通过大力投资其在弗吉尼亚州、爱达荷州和纽约州的布局，美光正致力于成为关键的国家供应商，此举因其经济和国家安全意义而受到特朗普政府和弗吉尼亚州官员的赞赏。

本文仅供参考，不构成投资建议。