内存芯片价格飙升，数据中心热潮加剧通胀担忧

用于人工智能数据中心的内存芯片需求激增，正推动整个半导体行业价格上涨，为通胀压力增添新的来源。就在投资者准备迎接关键消费者价格数据之际，这有可能使美联储的利率路径更加复杂。

"内存定价已进入由人工智能基础设施扩建驱动的超级周期，且丝毫没有减弱的迹象，"Wedbush Securities科技研究主管Dan Ives表示。"但投资者正在追问的问题是，这些价格上涨是否可持续，还是代表着资本支出泡沫，终将面临修正。"

总部位于爱达荷州的内存芯片制造商美光科技，其产品对人工智能数据中心至关重要。该公司周三公布的第三财季业绩超出分析师预期，股价在盘后交易中飙升16%。该公司指出人工智能和数据中心客户需求强劲，并对本季度给出了强于预期的业绩指引，有助于打消此前引发其股价在两天前下跌13%的担忧。美光市值已达一万亿美元，截至上周收盘，其股价今年已累计上涨超过800%。

内存芯片价格上涨，被一些经济学家称为第三波通胀——其驱动力既非能源成本，也非供应链中断，而是人工智能的实体基础设施。根据研究机构IDC的数据，2026年全球人工智能支出预计将达到2.59万亿美元，同比增长47%。法国巴黎银行数据显示，自2025年初以来，内存和存储供应商的表现显著优于标普500指数及SOX半导体指数。

内存价格为何上涨

内存芯片——尤其是高带宽存储器（HBM，一种通过垂直堆叠以最大化数据传输速度的DRAM）——已成为人工智能供应链中供应最为紧张的组件之一。英伟达的H100和Blackwell图形处理器需要使用来自美光、SK海力士和三星电子等供应商的HBM3内存。每块H100 GPU约需80GB的HBM，而一年多来需求一直超过供应。

内存供应紧张推高了价格。控制着约一半HBM市场的SK海力士，其股价在6月23日下跌12%，原因是韩媒报道称该公司正在放缓人工智能内存芯片产能扩张，并将重点转向大宗DRAM——分析人士认为此举暗示内存定价可能见顶。但在美光强劲财报重振市场对需求前景的信心后，该股于6月25日反弹8%。

"任何人工智能需求放缓的迹象都被视为周期可能转向的信号，"D.A. Davidson科技研究主管Gil Luria表示。"尽管市场普遍认为需求仍远远超过供应，但投资者正在等待美光确认这一点。"

通胀关联

内存芯片价格上涨正为美联储带来微妙时刻的额外通胀压力。美联储偏好的通胀指标——个人消费支出价格指数——4月同比上涨3.8%，远高于2%的目标，创下三年最大涨幅。根据市场普遍预期，周四公布的5月数据预计核心PCE为3.4%。

美联储主席凯文·沃什已暗示，央行可能在2027年前将基准利率上调25个基点，市场定价显示9月会议加息概率为98%。内存芯片价格上涨提高了数据中心的建设和运营成本，随着云服务提供商将成本转嫁给客户，可能进一步推升服务业通胀。

高通公司周三也为看多叙事添砖加瓦，预计其数据中心业务到2029年销售额将达到150亿美元，推动其股价在盘后交易中上涨13.3%。这家芯片设计商的业绩展望强化了市场预期——半导体公司将成为人工智能浪潮中最明确的赢家，即便它们的成功对宏观经济的影响给利率敏感的成长股带来了阻力。

对投资者而言，当前局面是需求利好与宏观逆风之间的拉锯。英伟达的远期市盈率约为35倍，而美光的上涨已将其估值推至几乎没有容错空间的水平。周四公布的PCE数据将决定市场能否同时维持对人工智能的乐观情绪和加息预期——从历史经验来看，这一组合往往难以持续。

本文仅供参考，不构成投资建议。