内存芯片ETF在香港暴跌17%，板块抛售加剧

两只追踪全球最大内存芯片制造商的香港上市杠杆交易所交易基金周二双双暴跌逾17%，一场广泛的抛售潮席卷了亚洲市场的半导体存储板块。

南方东证三星电子2倍杠杆ETF和南方东证SK海力士2倍杠杆ETF在香港交易中均下跌17%，反映出市场对内存芯片股的严重看空情绪。这些旨在实现其标的个股每日回报两倍的杠杆产品，在一个已因需求担忧承压的板块中放大了跌幅。

"这些杠杆产品如此剧烈的波动表明，内存半导体领域正在发生一场协调性的去风险事件，"Edgen半导体分析师Rachel Kim表示。"当2倍杠杆ETF在一个交易日内跌幅如此之大，说明标的股票正在承受巨大的抛售压力，这不仅仅是ETF自身的资金流动问题。"

此番抛售发生之际，内存芯片行业正面临潜在需求放缓、库存积压以及主要制造商发布谨慎指引等逆风。三星电子和SK海力士在高带宽内存（HBM）全球市场占据主导地位，而HBM是英伟达AI加速器中的关键组件。HBM是一种特殊类型的DRAM，通过垂直堆叠内存芯片实现更快的数据吞吐量，随着AI模型训练需要巨大的内存带宽，HBM已成为这两家公司的关键增长驱动力。AI芯片需求的任何疲软都可能波及整个供应链，不仅影响内存制造商，还会波及像台积电这样的芯片代工商——台积电利用其CoWoS（晶圆基底芯片）先进封装技术将HBM与英伟达的图形处理器封装在一起。

内存芯片周期历来波动剧烈，受供需变化驱动，价格呈现繁荣与萧条交替的周期性波动。DRAM和NAND闪存价格在AI驱动的硬件建设浪潮中曾大幅飙升，但随着数据中心运营商消化之前的产能扩张，近几个季度已显示出走软迹象。根据行业估算，三星电子和SK海力士合计控制着全球HBM市场逾70%的份额，这使得它们在AI基础设施支出出现任何回落时都直接面临风险。

对投资者而言，香港上市半导体ETF的急剧下跌预示着更广泛的科技板块短期内可能走弱。如果抛售蔓延至美国上市的芯片股，可能会对追踪全球30家半导体公司的费城半导体指数构成压力。此番抛售也引发了市场对AI芯片交易——全球股票市场中最拥挤的头寸之一——是否已开始瓦解的疑问。

本文仅供信息参考，不构成投资建议。