存储芯片ETF 2026年回报率达134% 板块轮动绕过英伟达

截至2026年6月4日，一只存储芯片交易所交易基金年内飙升134%，跑赢英伟达主题基金，因投资者轮动至半导体存储芯片制造商。

存储芯片ETF 134%的涨幅标志着2026年最大规模的板块轮动之一，投资者正从英伟达转向包括三星电子和SK海力士在内的存储芯片制造商。该基金同期回报率是费城半导体指数涨幅的两倍以上。

这一轮动反映了AI基础设施支出正在发生结构性转变。每一代新的AI GPU都需要更多高带宽内存，将存储芯片从周期性商品转变为数据中心建设中的战略瓶颈。HBM——一种通过垂直堆叠以最大化带宽的专用DRAM——已成为AI供应链中最为受限的组件之一，供应商正竞相扩大产能。

该存储芯片ETF的前几大重仓股包括三星电子、SK海力士和美光科技——这些公司均受益于AI数据中心对HBM需求的激增。据基金披露文件显示，三星和SK海力士合计占部分国际宽基ETF约4%的权重。这两家韩国存储芯片巨头是Vanguard富时发达市场ETF中最大的持仓之一，在该规模达3040亿美元的基金中，三星占比2.26%，SK海力士占比1.54%。

国际股票在2025年迎来广泛反弹，Vanguard富时发达市场ETF截至2026年6月1日的年度回报率为33.40%，iShares核心MSCI全国际股票ETF回报率为33.20%。存储芯片ETF 134%的回报率远超这些宽基国际基金，凸显出半导体涨势的高度集中性。

这对投资者意味着什么

对于投资者而言，134%的回报率表明AI交易正在向GPU制造商以外的领域扩展。虽然英伟达仍是主导的AI芯片供应商，但存储芯片的估值提供了不同的风险回报特征。三大HBM供应商——三星、SK海力士和美光——都将受益于超大规模企业扩建AI集群以及对高带宽内存需求的增长。

然而，轮动也伴随着风险。存储芯片价格历史上具有周期性，需求放缓或产能过度扩张可能迅速逆转涨幅。该存储芯片ETF年内134%的涨幅已消化了大部分HBM需求乐观预期，如果供应赶上需求的速度快于预期，上行空间将所剩无几。

尽管如此，随着主要云提供商的数据中心资本支出持续增长，HBM及其他先进存储芯片的需求底部在结构上似乎高于以往周期。该存储芯片ETF的表现表明，投资者越来越多地在英伟达之外寻找AI相关回报，这一趋势可能随着AI基础设施建设在2026年及2027年持续推进而延续。

本文仅供信息参考，不构成投资建议。