I-Pulse获2.5亿美元《芯片法案》资助，开发碳化硅半导体

美国政府正押注2.5亿美元，赌一家起源于核武器研究的脉冲功率公司能够攻克碳化硅制造难题。

美国商务部依据《芯片与科学法案》向I-Pulse授予2.5亿美元，以利用从桑迪亚国家实验室核武器研究中转化而来的脉冲功率技术，开发碳化硅半导体。

商务部长霍华德·卢特尼克表示："通过今天宣布的投资，特朗普政府正在加强美国的制造能力，并提升其国家安全和能源安全目标。"

该奖项资助高温、高性能碳化硅元件的研发，包括能够处理极端电压和电流的固态开关。I-Pulse将与美国国家实验室、大学和专业制造商合作开发这些产品。该公司由矿业亿万富翁罗伯特·弗里德兰和洛朗·弗雷斯卡林于2007年联合创立，在此次获奖前已从包括必和必拓和艾芬豪矿业在内的投资者处筹集超过3.24亿美元。

这笔投资将这家利基国防衍生企业定位为向科锐和意法半导体等已建立的碳化硅厂商发起挑战，这些厂商已在传统制造工艺上投入数十亿美元。如果I-Pulse的脉冲功率方法能在商业规模上奏效，它可能降低电动汽车、数据中心电力系统和地热钻井所需芯片的成本——该公司称这项技术可为美国日益增长的数据中心舰队解锁可调度的可再生能源电力。

I-Pulse的技术直接源自位于阿尔伯克基的桑迪亚国家实验室的Z机——这是世界上最强大的脉冲功率加速器，现任I-Pulse阿尔伯克基总裁的里克·斯皮尔曼博士曾领导其开发。据该公司称，该公司将一节手机电池的能量压缩为相当于一座核电站输出的放电，时间不到千万分之一秒。这一最初设计用于模拟核武器效应的能力，现在被改造用于岩石压裂以进行地热钻井，以及制造先进半导体。

I-Pulse计划商业化的碳化硅开关，能够通过施加强大的电脉冲在钻头前方软化花岗岩，从而在高温岩石条件下进行钻井，成倍提高钻井速度并延长钻头寿命。该公司的地热子公司G-Pulse计划部署该技术，以利用干热花岗岩地层产生全天候基荷电力——这可能是解决数据中心和国内工业运营能源需求的一种方案。

对于半导体行业而言，这一奖项代表了向非常规制造方法的押注。科锐和意法半导体等成熟的碳化硅生产商多年来一直致力于优化晶体生长和晶圆制造。I-Pulse的方法——使用精确定时的能量脉冲而非连续热工艺——可能在材料纯度和生产速度方面具有优势，不过该公司尚未披露将其方法与常规方法进行比较的独立基准测试数据。

该《芯片法案》奖项还通过减少对外国制造半导体的依赖来加强美国供应链韧性，这是2022年立法的关键目标之一，该法案已向英特尔、台积电和三星的晶圆厂投入数十亿美元。I-Pulse的项目将包括在阿尔伯克基进行劳动力开发，该公司称该地为全球脉冲功率研究的中心。

对投资者而言，这一押注带有二元风险。如果I-Pulse的技术被证明具有商业可行性，它可能颠覆一个预计到2030年将超过100亿美元的碳化硅市场，给科锐和安森美半导体等现有厂商带来压力。但实验室演示与大规模量产之间的鸿沟已经埋葬了许多曾经前景光明的半导体初创公司。这笔2.5亿美元的奖项为I-Pulse提供了七年的发展窗口——CHIPS研发项目的典型时间线——以证明其方法能在规模化水平上奏效。

本文仅供参考，不构成投资建议。