重點摘要:
- SK海力士花了一個多月時間在美國各地勘察前端記憶體晶圓廠的設廠地點。
- 此舉緊隨七月在納斯達克創紀錄募資265億美元的ADR上市之後。
- 輝達與超微的壓力推動供應鏈在地化,HBM需求持續飆升。
重點摘要:

SK海力士已花了一個多月時間在美國勘察前端記憶體晶圓廠的設廠地點,從初步意向邁向實地選址,因為美國AI晶片客戶要求更貼近本土的供應。
SK海力士已花了一個多月時間在美國勘察潛在的前端記憶體晶圓廠設廠地點,屈服於輝達(Nvidia)與超微(AMD)的壓力,將核心晶片製造移得更靠近它們的資料中心。從「不排除」在美國設廠到積極進行選址勘察,標誌著這家全球最大高頻寬記憶體(HBM)製造商的戰略性轉折。HBM是供應AI處理器所需的堆疊式DRAM。
「這就像一場戰爭,」SK集團會長崔泰源(Chey Tae-won)對CNBC表示。「每個人都想買記憶體晶片。沒有這些晶片,他們就無法生產AI運算和AI晶片。」
該公司於七月在納斯達克掛牌上市募資265億美元,創下外國企業在美國市場募資的最高紀錄,為其在美國的擴建提供了資金。SK海力士已在印第安納州西拉法葉營運一座耗資40億美元的封裝廠,預計於2028年完工,但前端晶圓廠——即成本最高、技術門檻最高的晶圓製程階段——尚未正式定案。崔泰源表示,他已勘察選址超過一個月,仍未找到合適地點,並以水、電、土地及半導體供應鏈生態作為先決條件。
此事的影響遠超單一工廠。根據Counterpoint Research的數據,SK海力士掌控HBM市場58%的市占率,三星與美光各占21%。其7,200億美元的建設計畫,旨在打造其所稱全球最大的記憶體工廠網絡——以龍仁集群(Yongin Cluster)為核心,首座晶圓廠將達50層樓高,內含六層無塵室——而競爭對手也正同步推進。美光正斥資500億美元在愛達荷州興建兩座晶圓廠,並為紐約園區投入最高1,000億美元;三星則在國家計畫下自建龍仁超級晶圓廠,目標是在五年內將南韓記憶體產量翻倍。
向美國本土推進,反映記憶體市場權力結構的轉變。輝達確保了HBM供應,並同意共同開發下一代記憶體,這是與SK集團達成的5,000億美元協議的一部分,該協議還涵蓋與SK電信合作於2027年前新建資料中心。SK海力士於七月簽署了10項長期供應協議,而這種結構在記憶體仍以大宗商品形式交易時幾乎不存在。崔泰源向CNBC展示了一片晶圓,上面有輝達執行長黃仁勳的手寫便條:「請製造更多。」
需求正重塑產品本身。「輝達想要自己的客製化晶片,Google也想要自己的客製化HBM,所以這不再只是大宗商品,」崔泰源表示。「這實際上改變了記憶體晶片的地位。」與AI處理器共同設計的客製化HBM,正隨著下一代HBM5加速推進,使SK海力士的巨額投資免受過去曾主導該產業的盛衰循環衝擊。
急迫性在數據中清晰可見。TrendForce預期第二季常規DRAM合約價將上漲58%至63%,第三季伺服器DRAM再漲13%至18%。崔泰源承認價格「上漲過快」,並表示擴建正是為了解決這個問題。然而投資人懷疑此波榮景已然見頂:SK海力士與三星股價已分別從六月高點回落約50%與34%,SK海力士的美國上市股票自7月14日接近195美元的峰值下跌約21%,收於154.41美元。
美國擴張也帶有地緣政治色彩。SK海力士在中國營運三座晶圓廠,但因美國出口管制無法在當地銷售尖端HBM,並正考慮出售其在重慶的封裝廠。中國的長鑫存儲(CXMT)剛剛在上海完成轟動一時的首發上市,估值超過所有其他中國上市公司,正在建設自己的DRAM產能。「這是一場競賽,而現在的競賽對手是中國,」Counterpoint Research研究總監MS Hwang表示。「這將比世界上任何其他事情都危險得多。」
對投資人而言,問題在於美國前端晶圓廠——建設與營運成本均高於南韓——是否能透過更深度的客戶綁定獲得回報。SK海力士與輝達和Google的長期合約及客製化HBM共同開發,為其提供了大宗商品記憶體從未擁有的收入基礎,但市場已在為放緩定價。第一個考驗將在二月到來,屆時龍仁晶圓廠預定開始投產;任何延誤都比股價更能說明產業週期的走向。
本文僅供資訊參考,不構成投資建議。