SK 海力士訂購 200 台 HBM4 測試機，1.1 萬億韓元擴產計劃加速推進

SK 海力士正為其清州廠下達最高達 4000 億韓元的 HBM4 測試設備訂單，這是該公司 1.1 萬億韓元擴產計劃中首個實質性的採購信號，將重塑全球 AI 記憶體供應格局。

據知情人士透露，這家全球最大的高頻寬記憶體製造商正與多家半導體設備供應商洽談，計劃訂購約 200 台測試機，用於其位於清州的 P&T7 先進封裝廠。每台 HBM4 測試機的價格介於 15 億至 20 億韓元之間，整筆訂單總值最高可達 4000 億韓元（約 3.08 億美元）。該公司正在協調明年可供應的交機數量。

「這筆設備訂單的規模證實，SK 海力士正從規劃階段邁入 HBM4 生產的執行階段，」Edgen 半導體供應鏈分析師 Rachel Kim 表示。「測試產能是 HBM 量產的關鍵制約因素——這些機器在堆疊記憶體晶片出貨給 Nvidia 等客戶之前，負責進行驗證。」

此次採購之際，SK 海力士正加速推動記憶體產業史上最激進的產能建設計畫。6 月 29 日，該公司公布了一項規模達 1.1 萬億韓元的長期投資計劃，涵蓋三大地理支柱。龍仁半導體集群原定於 2045 年完工，現將提前至 2033 年——時間縮短了 12 年。SK 海力士為龍仁項目撥款 600 兆韓元，該地四座晶圓廠中的第一座已完成土木工程，並進入無塵室基礎設施階段。首座無塵室預計將於 2027 年 2 月啟用。

清州項目則獲得 100 兆韓元資金，用於 NAND 快閃記憶體擴產及 HBM 先進封裝，其中包括目前這批測試機訂單所指向的 P&T7 廠。SK 海力士此前已宣布單獨為 P&T7 投入約 19 兆韓元。韓國政府另公布，三星電子和 SK 海力士將在忠清地區合計投資 81 兆韓元用於 HBM 封裝設施。

第三大支柱是位於韓國西南部的新半導體集群，SK 海力士計劃在此建設兩座晶圓廠，總投資額達 400 兆韓元，用於購地、建設及生產設備。具體選址仍在與中央及地方政府協商中。

HBM4 領導地位的競爭格局

HBM4 是下一代高頻寬記憶體，透過垂直堆疊多個 DRAM 晶片，為 Nvidia 及 AMD 的 AI 加速器提供極高數據吞吐量。目前 HBM3E 產品的數據傳輸速度最高可達每秒 1.2 TB，而 HBM4 預計將頻寬提升一倍，同時降低每比特功耗。SK 海力士長期以來一直是 HBM 市場的主導供應商，市佔率估計超過 50%，領先於三星電子和美光科技。

清州的設備訂單顯示，SK 海力士正在競爭對手之前佈局 HBM4 生產線。三星已公布其 HBM4 開發計劃，但未披露同等規模的測試設備採購。排名第三的美光則專注於在台灣及美國廠房提升 HBM3E 產能。

SK 集團會長崔泰源在 6 月 29 日的國家級簡報會上表示，集團將額外投資 1000 兆韓元用於 AI 數據中心項目，使 SK 的總投資規模在未來十年內達到每年逾 100 兆韓元。該 AI 數據中心網絡目標總容量為 15 GW，首期 5 GW 階段將在已確保電力和土地供應的地區啟動。

政府支持與國家級 AI 議程

SK 海力士與三星的擴產計劃——三星另外宣布在國內投資 2655 兆韓元，涵蓋半導體、機器人、電池及生物領域——與韓國政府有史以來最大規模的半導體及 AI 產業計劃高度契合。總統李在明政府已將半導體、物理 AI 及 AI 數據中心定位為產業升級的「三大支柱」，目標是在五年內將 DRAM 產能翻倍。

對於設備供應商而言，P&T7 的採購窗口提供了多年的訂單能見度。隨著 SK 海力士 1.1 萬億韓元計劃轉化為直至 2030 年代初的持續資本支出，服務於記憶體產業的測試設備製造商將直接受益。僅龍仁項目時間表的提前，就已將多年的晶圓廠建設及設備安裝支出前置化。

SK 海力士股價在過去 12 個月內上漲逾 40%，使其成為韓國市值最高的上市公司，超越三星電子。該股目前的本益比約為遠期盈餘的 12 倍，低於美國半導體同業，反映出投資人對 AI 記憶體週期能否維持當前走勢仍存疑慮。而 1.1 萬億韓元的投資承諾——相當於韓國年 GDP 的約 60%——則顯示管理層堅信需求將維持結構性增長。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。