SK海力士斥資54兆韓元興建兩座AI記憶體新廠

SK海力士將斥資54兆韓元（380億美元）在南韓興建兩座新廠房，押注AI記憶體需求屬結構性轉變，而非週期性榮景。

SK海力士批准54兆韓元（380億美元）在南韓興建兩座新記憶體廠房，鎖定至2031年的DRAM與NAND產能，因公司押注AI需求屬結構性轉變而非週期性榮景。

「透過主動確保生產能力，我們旨在確立自身作為AI基礎設施關鍵夥伴的地位，」一位SK海力士主管表示。

董事會批准35.2兆韓元用於龍仁「Y2」DRAM廠，以及19.1兆韓元用於清州「M17」NAND廠。Y2廠於2027年7月動土，首座無塵室於2029年6月啟用，生產HBM與次世代DRAM；M17廠於2027年2月動工，無塵室於2028年12月啟用。Omdia預測，至2030年DRAM與NAND需求將以19%的年複合成長率增長。

此項支出落實一項總體規劃，即在龍仁聚落投資600兆韓元、清州投資100兆韓元，並將聚落內四座廠房的完工時程從2045年提前至2033年。SK海力士正與三星及美光競逐，搶先鎖定Nvidia及其他AI客戶的HBM供應。

龍仁Y2作為HBM與次世代DRAM核心據點

Y2是龍仁半導體聚落規劃中四座廠房的第二座，該聚落位於京畿道佔地126萬坪（416萬平方公尺）的基地。此廠佔地34.1萬坪（113萬平方公尺），將生產HBM——堆疊於Nvidia AI加速器之上的高頻寬記憶體——以及其他次世代DRAM。支援Y2營運所需的第一期電力與供水基礎設施已完成99%，使建設可按時程推進。

此投資亦涵蓋一座業務支援大樓、整合產品測試與分析的一體化研發中心，以及包含變電站與水處理設施的輔助基礎建設。作為聚落首座廠房的Y1，預計於2027年2月啟用其首座無塵室。

清州M17擴充企業級SSD用NAND產能

SK海力士選擇清州作為其NAND擴充據點，因該廠址提供最快的建設時程。該園區已設有M11、M12與M15廠房，既有的電力與供水基礎設施使M17可整合至現有營運體系。這座位於20.6萬坪（68萬平方公尺）的廠房，瞄準企業級SSD及AI推論中KV快取儲存的激增需求，預期隨著代理式AI與實體AI的推出，應用範圍將進一步擴大。

產能依需求分期釋出，而非一次性傾瀉

SK海力士並非一次性釋出全部產能。公司計畫依總體時程興建廠房，同時分期擴充無塵室及安裝設備以配合客戶需求，此策略可最大化資本效率。Y2的投資將持續至2031年10月，M17則至2031年4月。

此項賭注的規模對記憶體市場意義重大。作為HBM主導供應商的SK海力士正在擴張，而競爭對手三星與美光同樣大舉投入AI記憶體資本支出。Nvidia在其Vera Rubin平台中已採用SK海力士與三星的HBM4，將美光排除在外。在Omdia預測至2030年每年19%的需求成長下，三家供應商正競相在客戶簽訂多年期合約之前鎖定產能——記憶體廠商已簽訂2027年供應協議，且沒有容納新買家的空間。

對投資人而言，問題在於市場是否已將此次擴建計入價格。SK海力士「基礎設施優先、設備按需安裝」的策略，意味著54兆韓元的承諾不會立即轉化為營運產能；首批新無塵室要到2028年底及2029年中才陸續啟用。這個時間點，以及AI記憶體需求能否在未來十年持續，將決定此一資本支出週期能否獲得回報，抑或讓產業陷入供應過剩的困境。

本文僅供參考，不構成投資建議。