SK海力士在印第安納州投資40億美元興建HBM廠，目標2029年量產

SK海力士投資40億美元的印第安納州廠房，是美國首座高頻寬記憶體先進封裝廠，而HBM是驅動輝達AI加速器的關鍵元件。

SK海力士週四在印第安納州西拉法葉動工興建一座40億美元的高頻寬記憶體封裝廠，將AI供應鏈中最受限制的環節首次帶到美國本土。

「在AI時代，生產最好的記憶體還不夠，」執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）在動工典禮上表示。「我們還必須為客戶的AI系統開發客製化的記憶體解決方案。」

這座位於普渡研究園區、佔地133.5英畝的廠房將設有先進的HBM封裝與研發作業，無塵室目標於2028年10月完工，新一代HBM的量產則排定於2029年下半年。此計畫獲得最高4.58億美元的《晶片法案》補助及5億美元的貸款支持。

這座廠房讓SK海力士——其全球HBM營收市佔率約58%——更加貼近包括輝達在內的最大客戶。輝達最新一季資料中心營收暴增117%至890億美元。SK海力士的美國存託憑證（ADR）週四上漲2.27%。

填補先進封裝缺口

先進封裝——將記憶體晶粒垂直堆疊，以極高速度將資料餵給AI加速器——一直是美國半導體供應鏈的瓶頸。美國商務部已將HBM描述為AI供應鏈中的關鍵限制因素。SK海力士將在韓國生產晶圓，再運往印第安納州進行封裝與測試，打造橫跨兩國的整合生產網絡。

該廠房預計將創造約1,000個直接就業機會，以及周邊供應鏈約7,000個直接與間接工作崗位。SK海力士目前正評估超過100家材料、零件與設備供應商，以在廠房周邊建立在地供應商網絡。該公司並與普渡大學簽署研究合作協議，涵蓋HBM系統整合與先進封裝，目標是在美國培養技術人才與知識。

2022年簽署生效的《晶片與科學法案》旨在降低美國對海外半導體生產的依賴。SK海力士的印第安納州計畫是該法案促成的大型外國晶片製造商投資之一，台積電與三星也已承諾在美國本土興建晶圓廠。

這項投資正值生成式AI基礎建設擴張帶動HBM需求持續飆升之際。輝達公佈的會計年度第二季營收為962億美元，年增106%，並預估下一季營收約為1,080億美元。每一代新的輝達平台都需要日益複雜的記憶體配置，使HBM成為AI硬體供應鏈中最吃緊的環節之一。

SK海力士以強勢地位展開此次擴張，最近一季營業利益率高達76%。但該公司面臨三星電子與美光的競爭壓力，兩者皆在競相擴大HBM產能。漫長的建設時程——量產預計要到2029年底才會實現——若在此之前AI基礎建設投資放緩，或競爭對手更快擴充產能，則存在執行風險。

對投資人而言，需要關注的關鍵指標包括HBM出貨成長、價格、客戶承諾，以及該廠能否如期投產。SK海力士ADR（在Nasdaq以代碼SKHY交易）週四收漲2.27%，市場已消化這項消息。SK集團另宣布為美國退伍軍人提供就業機會，呼應印第安納州與韓國的歷史淵源——韓國曾在韓戰期間派出約14萬名士兵支援。

本文僅供參考，不構成投資建議。