三星供應V10 V-NAND給輝達，CMX AI儲存需求預計2027年突破一億TB

輝達專為AI推論打造的全新CMX儲存層，預計到2027年將消耗超過1億TB的NAND快閃記憶體，重塑記憶體產業的需求結構。

三星電子已開始量產其第10代V-NAND，並供貨給輝達，因為這家晶片大廠的新型Context Memory Storage（CMX）裝置創造了一個預計到2027年將突破1億TB的快閃記憶體需求管道。

「這無異於在一夜之間為NAND市場增加了一個蘋果級別的需求來源，」半導體產業分析師 @jukan05 在X平台上發文表示。「供應鏈的影響極為深遠。」

根據《首爾經濟日報》報導，V10採用了約400層堆疊，相較於286層的V9，密度提升50%。三星已將每月V-NAND產能（超過10萬片晶圓）的約60%分配給V9生產，而V10在爬坡階段僅占總產出的不到5%。該公司也正在試產V11，目標層數為400至500層。

三星2026年的獲利預計將超越過去40年的累計盈餘，主要受AI儲存需求驅動。然而，與輝達日益加深的聯盟——涵蓋HBM、NAND及晶圓代工服務——可能導致其他市場供給短缺，推動消費級SSD與企業級儲存價格上漲。

CMX 將快閃記憶體轉變為推論加速器

輝達的CMX並非傳統儲存設備。它作為一種Pod級別的共享上下文層，適用於長上下文與代理型AI推論，將關鍵值快取（KV Cache）——即語言模型為避免重新計算Token而保留的中間狀態——從昂貴的GPU高頻寬記憶體卸載至乙太網路連接的快閃儲存。該系統使用輝達的BlueField-4資料處理單元進行NVMe管理與加密卸載，並由Spectrum-X乙太網路負責網路層。

每個CMX單元內建576個固態硬碟，提供9600 TB的容量。根據輝達的技術文件，該架構針對長上下文工作負載，可實現持續Token處理效能與功耗效率高達五倍的提升。

三代生產同步推進

三星正同時運作三個V-NAND世代。V9已進入穩定生產，良率超過80%，並占據產出的大宗。V10於2026上半年進入量產，現已供應給輝達，但占V-NAND總產出比例仍低於5%。該公司在平澤的P4廠房仍有超過一半的NAND無塵室空間尚未啟用，提供了擴產空間。

V10是業界首次大規模商業化以鉬取代鎢作為導線材料，使互連厚度減少30%至40%。V11試產已於今年稍早展開，目標堆疊高度為400至500層，並計劃在下半年將試產量翻倍，以收集良率數據。

業界估計，CMX相關的NAND需求將從2026年的3500萬TB成長至2027年的超過1億TB。三星今年的NAND總出貨量預計將達到約2.5億TB，使其成為輝達主要的CMX供應商。

三星股價直接受惠於此結構性需求轉變，公司2026年獲利可望超越過去40年的累計盈餘。但供應集中的局面也為整體市場帶來風險。隨著三星約60%的V-NAND產能已分配給輝達的CMX供應鏈，其他企業客戶與消費級SSD買家將面臨更緊俏的供給與更高的價格。DRAM市場在AI基礎建設初期經歷過類似衝擊；NAND如今正走上相同的道路。

三星會長李在鎔預計將在舊金山與輝達執行長黃仁勳會面，討論HBM與下一代NAND供應，以及在南韓興建資料中心的可能性。這場會面凸顯了兩家公司產品藍圖已緊密交織的程度。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。