三星與鎧俠競相量產 PCIe 6.0 NAND 儲存，搶攻 AI 資料中心商機

三星電子與鎧俠（Kioxia）已於數週內相繼開始量產 PCIe 6.0 企業級 SSD，壓縮了 NAND 技術迭代週期，因 AI 資料中心在推論工作負載上需要更快的儲存效能。鎧俠於 7 月初率先在岩手縣北上 K2 工廠量產其第 10 代 BiCS 10 NAND（332 層堆疊），而三星則推出了基於第九代 V-NAND 並搭載 4nm 控制器的 PM1763 PCIe 6.0 eSSD。

「隨著 AI 基礎設施的演進，儲存不僅要提供更高的效能，還須具備更高的效率與部署靈活性。」KIOXIA America SSD 事業部資深副總裁暨總經理 Neville Ichhaporia 表示。

根據公司數據，鎧俠的 CM10 eSSD 相較前代產品，循序讀取效能最高提升 92%，隨機讀取效能則提升約 85%。該產品支援 NVIDIA CMX 上下文記憶體儲存解決方案，透過共享的 pod 級上下文層級擴展 GPU 有效記憶體，用於 KV 快取。CM10 提供 E3.S、E1.S 及 2.5 吋等規格，容量從 1.60TB 至 61.44TB，部分規格支援冷板液冷功能，並提供重度讀取型（1 DWPD）與混合使用型（3 DWPD）兩種耐久度選項。

三星已於 6 月完成 UFS 5.0 的開發，計畫於第四季量產，目標是在第九代 V-NAND 上實現 10.8GB/s 的頻寬。鎧俠則預計於年底前開始量產 UFS 5.0，資料處理速度約為 UFS 4.1 的兩倍，並將自家控制器與第八代 NAND 搭配使用。

兩家公司同時推進量產，壓縮了新 NAND 規格的商業化窗口，雙方皆於同一季度內出貨 PCIe 6.0 產品。根據 TrendForce 數據，三星第一季在全球 NAND 市場占有率達 31.6%，SK 海力士以 17.6% 位居第二，鎧俠則以 13.9% 排名第三。這場競賽對 AI 基礎設施支出產生直接影響，因為儲存瓶頸一直制約著推論吞吐量。

V10 混合鍵合標誌三星製程躍進

三星的 V10 NAND 估計層數超過 430 層，首次導入混合鍵合（hybrid bonding）與三堆疊架構。據 ZDNet 引述的半導體業界消息來源指出，該公司已完成內部生產就緒審批，並於本月宣布啟動量產，不過由於設備投資尚未完全到位，初期產能將有限。三星同時也在加速開發 500 層的 V11 世代，並增加對 NVIDIA 的第九代 V-NAND 出貨量。

全球第二大 NAND 供應商 SK 海力士計畫於年底前開始量產其 375 層 4D NAND，方式是將清州 M15 廠現有生產線進行轉換，而非新建產能。該公司將在部分字元線金屬閘極電極中導入鉬，取代部分鎢層以降低電阻，實現更高密度的 NAND。SK 海力士表示，375 層世代相較前一代的每瓦效能提升 2.5 倍，目標鎖定以能源效率為首要限制條件的 AI 資料中心。

UFS 5.0 瞄準終端 AI 應用

今年進入商業化階段的 UFS 5.0 規格，鎖定行動 NAND 的終端 AI 應用。鎧俠的 UFS 5.0 解決方案將自家控制器與第八代 NAND 搭配使用，而三星版本則採用第九代 V-NAND。兩家公司都將這些產品瞄準 AI 智慧型手機與邊緣裝置，這類裝置需要更快的本地儲存來執行模型推論，其資料處理速度約為 UFS 4.1 的兩倍。

更廣泛的 AI 儲存推動不僅限於 PCIe 與 UFS。本週於聖塔克拉拉舉行的 Flash Memory Summit 上，Sandisk 與 SK 海力士透過開放運算計畫（Open Compute Project）發布了高頻寬快閃記憶體（HBF）技術規格，定義了一個介於 HBM 與傳統儲存之間、專為 AI 推論設計的新記憶體層級。NVIDIA 也宣布將開源其 cuFile API，允許 GPU 直接讀寫儲存，減少 CPU 在資料移動中的參與。

對投資人而言，加速的 NAND 週期有利於具備最深製程技術與最快上市速度的供應商。三星在 NAND 的規模優勢（31.6% 市占率）提供了定價能力，而鎧俠較早投入 300 層以上製程量產則展現了技術對等實力。SK 海力士對能源效率的專注鎖定了能源成本主導的資料中心市場。壓縮的技術週期可能對無法跟上前三強步調的小型 NAND 供應商造成利潤壓力，而超大規模雲端業者則可望受惠於更具競爭力價格下的更快儲存效能。

本文僅供資訊參考用途，不構成投資建議。