那斯達克泡沫風險觸及0.8 美銀警示半導體過熱

美國銀行自研的那斯達克100泡沫指標，自AI熱潮爆發以來首度跨入危險區間。

那斯達克100的泡沫風險指標已升至0.8，美國銀行警告，此門檻意味著這檔科技股權重極高的指數正面臨雙向風險急劇升高的局面。

美銀股票衍生品策略主管Benjamin Bowler表示：「我們在半導體領域看到的過熱程度，與過去市場頭部的情況一致。市場對宏觀逆風的韌性，本身正是典型的泡沫構築特徵。」

那斯達克100自3月下旬以來已飆漲約32%，幾乎是標普500指數漲幅的兩倍。包括美光科技、超微半導體及英特爾在內的半導體股，貢獻了最高的泡沫風險讀數。美銀指出，在10檔最過熱的美國股票中，有8檔在那斯達克100中權重偏高，兩大基準指數在泡沫風險指標上的差距已急劇擴大。

此一警示出爐之際，截至6月17日當週，美股吸引創紀錄的1192億美元資金流入，其中科技基金吸金192億美元亦創歷史新高。摩根大通數據顯示，對沖基金總槓桿率已觸及第100個百分位。同時，半導體與那斯達克指數比率在12週內飆升46%——BTIG表示，此種速度在歷史上僅伴隨重大頭部或熊市底部出現。

半導體過熱驅動背離

美銀的泡沫風險指標整合了回報、波動率、動能及脆弱性四個維度，將風險映射至零到一的區間，1代表極端過熱。美銀表示，那斯達克讀數達到0.8，已落入上行與下行風險均急劇升高的危險地帶。相比之下，標普500指數仍遠低於該門檻，反映出漲幅集中於少數AI相關個股的市場格局。

除美股外，美銀指出，歐洲半導體及記憶體晶片股，以及日本的管理改革主題，均為泡沫風險讀數偏高的全球交易。Bowler表示，當前市場的反身性特質——動能追逐不斷自我強化——短期內創造了不對稱的上行風險，但也讓指數容易遭受過去泡沫時期曾出現的劇烈修正。

美銀建議相對價值避險策略

針對那斯達克可能出現的回調，美銀建議採取一項相對價值交易：買入QQQ 2026年12月履約價600美元的賣權，同時賣出相同履約價的SPY賣權。該策略利用了定價異常現象——那斯達克實際風險較高，但QQQ的價外賣權隱含波動率卻相對SPY便宜。美銀回測顯示，此結構在2000年網路泡沫崩盤及2022年修正期間均能產生正回報，風險回報比約為4.3倍。

那斯達克指數週一下跌1.32%，收於26,166.60點；標普500指數下跌0.37%，收於7,472.79點。道瓊工業指數受卡特彼勒近4%漲幅支撐，上漲0.29%，收於51,712.71點。美國10年期公債殖利率攀升5個基點至4.23%，創2月以來新高，因市場對聯準會短期內升息的押注持續升溫。布蘭特原油下跌2.75%，收於每桶78.16美元，此前美國與伊朗同意在60天內達成最終協議的路線圖。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。