記憶體類股全面下殺,三星、SK海力士資本支出暴增,引發市場擔憂供給過剩恐終結這個產業數十年來最賺錢的週期。
記憶體類股全面下殺,三星、SK海力士資本支出暴增,引發市場擔憂供給過剩恐終結這個產業數十年來最賺錢的週期。

美光科技 (Micron Technology Inc.) 股價週一重挫7%至917美元,追隨SK海力士跌勢,因投資人擔憂記憶體同業創紀錄的資本支出恐將淹沒市場,並壓縮這個產業最豐厚週期中的利潤率。
「市場已開始反映獲利高峰已過的風險,」Edgen 半導體分析師 Rachel Kim 表示。「三星與SK海力士的支出水準,從歷史經驗來看,往往是供給過剩的前兆,而這波拋售正反映了這種恐懼。」
拋售潮席捲整個類股。SanDisk Corp. 下跌7%至1,616美元,威騰電子 (Western Digital Corp.) 下跌7%至537美元,希捷科技 (Seagate Technology Holdings PLC) 下跌5%至822美元。Roundhill Memory ETF 下跌6%至61美元。此輪行情發生前,三星電子 (Samsung Electronics Co.) 甫公布第二季初步營業利潤約達580億美元,年增幅高達19倍,但其自身股價在首爾盤中一度暴跌10%。上週甫在那斯達克掛牌的SK海力士 (SK Hynix Inc.) 股價亦重挫10%。
創紀錄獲利卻引發拋售的悖論,凸顯記憶體投資的核心矛盾。美光會計年度第三季營收年增346%至415億美元的歷史新高,經調整毛利率達84.9%。公司預測第四季營收約為500億美元。然而,該股目前交易價格僅約為年化獲利的8倍——這個本益比暗示市場預期獲利將大幅下滑。問題不在於週期何時會轉折,而在於何時轉折。
可能打破榮景的支出競賽
三星與SK海力士正投入數十億美元擴充高頻寬記憶體 (HBM) 及先進DRAM的產能,這些晶片正是輝達 (Nvidia Corp.) AI加速器的核心。HBM透過垂直堆疊記憶體晶粒,提供遠高於傳統DRAM的頻寬,已成為記憶體產業利潤最高的產品線。但建置HBM產能需要大量前期投資在先進封裝與晶圓製造設備上。
德意志銀行分析師指出,三星的財報僅比市場預期高出6%,顯示市場早已將這波榮景反映在股價中。目前的擔憂在於,滿足AI需求所需的支出最終將超越需求本身,形成供給過剩,進而壓垮DRAM與NAND的平均售價。
暴漲242%後遭遇現實
美光股價在今年截至週一前已飆漲242%,並與三星、SK海力士一同在5月市值突破1兆美元。這波漲勢反映投資人堅信AI驅動的記憶體需求將在結構上高於過去週期。美光自身的財測亦支持此觀點:該公司預期DRAM與NAND的市場緊俏將持續到2027年以後。
但歷史經驗示警。記憶體是一個深度週期性行業,景氣繁榮之後往往伴隨著蕭條。獲利飆升的幅度越大,修正的力度通常也越猛烈。以過去盈餘計算,美光本益比為21倍,看似合理;但若以週期高峰獲利計算,前瞻本益比僅8倍,顯示市場已在為下行做準備。
對投資人而言,此輪拋售形成兩難困境。看多論點——AI驅動需求使此輪週期具有結構性差異——有美光500億美元營收財測及HBM持續短缺作為支撐。看空論點則在於,三星與SK海力士的支出終將填補供需缺口,壓縮整個產業的利潤率。瑞銀與美銀將此次回檔定位為健康的調整,但在記憶體類股今年迄今仍維持逾200%漲幅的情況下,獲利了結的風險依然居高不下。
本文僅供資訊參考,並不構成投資建議。