關鍵要點
- 全球存儲晶片股在5月6日集體上漲,在港上市的瀾起科技大漲8.21%,美、韓同行亦表現強勁。
- 此次上漲由高帶寬內存(HBM)和NAND閃存的結構性短缺驅動,這些是構建AI基礎設施的關鍵組件。
- 5月6日漲幅居前個股:
- 美光 (MU): +11.06%
- 英特爾 (INTC): +12.92%
- 閃迪 (SNDK): +11.98%
- 三星 (SSNLF): +9%
關鍵要點

全球半導體存儲晶片股的漲勢在5月6日加速。受全球範圍內人工智能組件需求激增的推動,在港上市的瀾起科技(06809.HK)收盤上漲8.21%,推動晶片製造商股價再創新高。
「市場反映出一種觀點,即內存在AI基礎設施堆疊中的地位可能是結構性的,而非週期性的,」Roundhill Investments執行長戴夫·馬扎(Dave Mazza)在評論該板塊走勢時表示。
亞洲市場的變動是更廣泛趨勢的一部分。美國存儲晶片製造商美光科技上漲11.06%,英特爾大漲12.92%。純NAND閃存生產商閃迪股價攀升11.98%。這股熱潮還帶動韓國綜合股價指數(Kospi)上漲超過6%,當地巨頭三星電子和SK海力士漲幅均超過9%,外國投資者淨買入 21 億美元的Kospi股票。韓元兌美元匯率上漲超過1%,成為當日亞洲表現最好的貨幣。
用於訓練和運行人工智能模型的存儲晶片需求旺盛,導致供需失衡,預計這一狀況將持續數年。市場研究機構TrendForce預計,到2026年底,由於手機需要更多空間進行本地AI處理,部分設備配置將會消失。而木星資產管理(Jupiter Asset Management)的分析師指出,存儲市場在2027年之前都將處於供不應求的狀態。
輝達執行長黃仁勳稱AI基礎設施建設為「人類歷史上最大規模的基礎設施建設」,這需要海量的高性能内存。高帶寬內存(HBM)與輝達和AMD的AI加速器堆疊在一起,為訓練大型模型提供必要的帶寬;而NAND閃存則用於AI數據中心所需的海量存儲池。這為DRAM和NAND創造了雙重需求衝擊,僅在2026年第一季度,NAND閃存價格就上漲了60%。
作為全球僅有的三家HBM供應商之一,美光已暗示中期內只能滿足50%至三分之二的客戶需求,訂單已排至2027年。這種結構性稀缺使該公司能夠實現近75%歷史最高毛利率,並給出了進一步擴大的指引。
此次漲勢帶來了一些令人驚嘆的企业業績。於2025年2月從威騰電子分拆出來的閃迪(SNDK),其股價在過去一年上漲了3,314%。該公司的毛利率在一年內從22.5%擴張至78.4%,這種擴張水平在商品化硬件業務中幾乎聞所未聞。該公司報告第三財季營收為 59.5 億美元,同比增長251%。
同時,三星電子最近也憑藉與AI需求相關的股價上漲,加入了 1 萬億美元市值俱樂部。該公司的半導體部門在3月季度實現了歷史性利潤,增幅達48倍,超出預期。
爆發性的走勢已將許多晶片製造商的估值推向歷史高位。美光在一年上漲600%後,其滾動市盈率約為26倍,而閃迪的市盈率達到41倍,遠高於其歷史中位數。投資者的關鍵問題在於,當前的這種需求是代表持久的結構性轉變,還是僅僅是另一個繁榮-蕭條週期的上升階段。
超大規模客戶似乎正在押注結構性轉變。Google已承諾到2026年投入高達 1850 億美元用於AI基礎設施建設,而Meta和微軟都將存儲價格上漲列為上調資本支出指引的主要原因。隨著閃迪簽署價值超過 110 億美元的多年度供貨協議,以及美光的HBM產能被預訂至未來數年,市場正預期存儲行業將迎來持續走強的時期。
本文僅供參考,不構成投資建議。