I-Pulse獲2.5億美元《晶片法案》補助 開發碳化矽半導體

美國政府押注2.5億美元，賭注一家源自核武研究的脈衝功率公司能突破碳化矽製造難題。

美國商務部依據《晶片與科學法案》（CHIPS and Science Act）授予I-Pulse 2.5億美元，用於開發採用脈衝功率技術的碳化矽半導體，該技術源自桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratories）的核武研究。

商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）表示：「透過今日宣布的投資，川普政府正在強化美國的實力，並提升其國家與能源安全目標。」

這筆獎勵資金將用於研發高溫、高效能的碳化矽元件，包括能夠處理極高電壓與電流的固態開關。I-Pulse將與美國國家實驗室、大學及專業製造商合作開發相關產品。這家由礦業億萬富翁羅伯特·傅利蘭（Robert Friedland）與洛朗·弗雷斯卡林（Laurent Frescaline）於2007年共同創立的公司，在此次補助前已從投資者手中籌集超過3.24億美元，投資方包括必和必拓（BHP）與艾芬豪礦業（Ivanhoe Mines）。

這項投資使一家利基型的國防衍生公司得以挑戰既有的碳化矽巨頭，如Wolfspeed與意法半導體（STMicroelectronics），這些公司已在傳統製造產能上投資數十億美元。如果I-Pulse的脈衝功率方法能在商業規模上奏效，將可能降低電動車、數據中心電源系統及地熱鑽探所需晶片的成本——該公司表示，這項技術可為美國不斷擴增的數據中心艦隊提供基載再生能源電力。

I-Pulse的技術直接源自位於阿布奎基（Albuquerque）桑迪亞國家實驗室的Z機（Z Machine）——這是全球最強大的脈衝功率加速器；現任I-Pulse阿布奎基總裁的里克·斯皮爾曼博士（Dr. Rick Spielman）曾主導其開發工作。據該公司表示，其技術將一顆手機電池的能量壓縮，在不到千萬分之一秒內釋放出相當於一座核電廠的輸出功率。這項最初用於模擬核武效應的能力，如今正被改編應用於地熱鑽探的岩石破碎以及先進半導體的製造。

I-Pulse目標商用化的碳化矽開關，將能透過施加強大的電脈衝，在鑽頭前方軟化花崗岩，從而實現高溫岩層環境下的鑽探，大幅提高鑽探速度並延長鑽頭壽命。該公司的地熱子公司G-Pulse計劃部署這項技術，以開採高溫乾熱花崗岩層，提供全天候基載電力——這可能為數據中心及國內工業營運的能源需求提供解決方案。

對半導體產業而言，這項補助代表了一次對非傳統製造方法的押注。既有的碳化矽生產商如Wolfspeed與意法半導體，已耗費多年時間優化晶體生長與晶圓製程。I-Pulse的方法——使用精準定時的脈衝能量，而非連續的熱製程——可能在材料純度與生產速度上具有優勢，不過該公司尚未公開與傳統方法比較的獨立基準測試數據。

這項《晶片法案》補助也強化了美國供應鏈的韌性，減少對外國製半導體的依賴，這是2022年該法案的核心目標之一。該法案已向英特爾（Intel）、台積電（TSMC）及三星（Samsung）的晶圓廠注入數十億美元資金。I-Pulse的計劃將包括在阿布奎基進行勞動力培訓，該公司稱此地為全球脈衝功率研究的中心。

對投資人而言，這項押注承載著二元風險。如果I-Pulse的技術證明具備商業可行性，它可能顛覆一個預計到2030年將超過100億美元的碳化矽市場，對Wolfspeed與安森美半導體（ON Semiconductor）等既有業者形成壓力。然而，從實驗室展示到大量製造之間的鴻溝，已埋葬了許多前途看好的半導體新創公司。這筆2.5億美元的補助為I-Pulse提供了七年的跑道——《晶片法案》研發計劃的典型時間框架——以證明其方法在規模化後能夠奏效。

本文僅供參考，不構成投資建議。