HBF規格鎖定512GB堆疊，緩解AI記憶體瓶頸

首個高頻寬快閃記憶體開放標準，可能動搖三星、SK海力士與美光已預售至2027年的HBM寡頭格局。

由SK海力士與SanDisk領銜的聯盟發布了首個高頻寬快閃記憶體（High Bandwidth Flash, HBF）規格。這是一種基於NAND的記憶體，每個模組可堆疊高達512GB容量——相當於HBM4堆疊的8至10倍——頻寬最高可達3.0TB/s，為AI資料中心提供了高頻寬記憶體（HBM）的更廉價替代方案，而後者已成為產業中最稀缺的元件。

「你不必等太久，」SanDisk的許姓高層（Hsu）5月時向SDxCentral表示，並說明透過開放運算計畫（Open Compute Project）發布，讓這項工作在速度上比傳統標準制定機構更快。

這份規格在「未來記憶體與儲存大會」（Future of Memory and Storage）上發布，定義了兩種堆疊配置（8層與16層NAND晶粒）及三個頻寬等級，從約0.4TB/s至3.0TB/s。最高等級落在典型HBM4的2.0至3.3TB/s頻寬區間內，而512GB的容量上限則可比擬HBM4堆疊約48GB至64GB的容量。HBF透過UCIe——開放式晶片互連標準——連接至主機處理器，使其可搭配不同供應商的GPU與CPU。

Google與Tenstorrent已加入該聯盟，但主導AI加速器市場的Nvidia並不在列名的參與者之中，三星、美光與鎧俠（Kioxia）也未參與。SK海力士已擴大與Nvidia在新型記憶體技術上的戰略合作，但目前沒有官方確認涉及HBF。業界預期商業化時間落在2027年底至2028年之間，而資料中心的大規模需求則要到接近2030年才會出現。

HBF押注容量而非原始速度

與HBM不同，HBF的訴求重點在於容量而非原始速度。一個512GB的HBF堆疊，對比HBM4堆疊約48GB至64GB的容量，擁有8至10倍的容量優勢，而HBF最高等級的3.0TB/s頻寬則與HBM4典型的2.0至3.3TB/s區間相當。SanDisk自2025年8月起即按公開路線圖推進：記憶體本身的首批樣品預計於2026年下半年推出，而採用HBF打造的首批AI推論裝置樣品則於2027年初問世。兩家公司均未因本週的公告而更新該時程。

同一份文件中，除了宣布HBF外，也揭露了SK海力士第十代375層4D NAND，號稱每瓦效能提升2.5倍，並表示基於該技術的企業級SSD將於明年初開始量產。至於HBF本身，文件中完全未提及任何日期。

記憶體競賽三分天下

三星在同一場大會上發表了zHBM，這是一種專有技術，將記憶體垂直堆疊在AI晶片上方而非側邊，縮短了資料傳輸的距離。三星表示，該架構可提供約當前HBM5八倍的效能、封裝超過10倍的記憶體密度、將能耗降低三分之二，並使熱阻減少超過一半。與此同時，美光則透過現有的DRAM生產而非新架構逐步搶佔市佔率，將其全球DRAM市佔率從22%提升至2026年第二季的25%，逼近SK海力士的26%，而三星以39%位居榜首。消息公布後，美光股價大漲近6%。

鎧俠並未加入HBF聯盟，而是針對同一問題採取不同的解決方案。三星、SK海力士與美光已將2027年全年DRAM與HBM產能全部預售一空，客戶實際拿到的貨量僅為最初要求的60%至70%。

新架構並不會增加任何一片晶圓的供應量——它只決定了誰能從既有晶圓中獲得更多價值。這正是其他相關報導大多忽略的部分。三星、SK海力士與SanDisk如今競爭的不再是速度，而是爭奪成為市場中的預設設計方案，而這個市場在2027年與2028年新晶圓廠完工之前不會成長。無論誰贏得這場賭注，都將鎖定未來多年的定價權。對於仰賴這些元件的Nvidia與超大規模雲端業者而言，AI競賽已不再只是誰能設計出最聰明的處理器，而是誰能確保有足夠的記憶體來實際運行它們。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。