銦相關出口管制正收緊磷化銦(InP)基板供給,因AI資料中心將光模組升級至1.6T,每個模組的InP用量幾乎翻倍。
銦相關出口管制正收緊磷化銦(InP)基板供給,因AI資料中心將光模組升級至1.6T,每個模組的InP用量幾乎翻倍。

中國對銦相關材料實施的出口許可證制度,正在壓縮磷化銦(InP)基板的供給,而此時恰逢AI資料中心將光收發模組從800G升級至1.6T——這一升級使每個模組的InP用量幾乎翻倍。
磊晶廠IQE執行長尤塔·邁爾(Jutta Meier)在接受訪問時表示:「取得磷化銦基板正成為半導體產業面臨的重大風險。」她指出,出口管制帶來的供給不確定性是該產業的核心挑戰。
InP基板產能集中於少數幾家供應商——住友電工、JX先進金屬(JX Advanced Metals)及AXT——而先進磊晶製程則集中於台灣。Lumentum在8月警告,AI資料中心對InP雷射的需求已倍增,短缺情況恐比記憶體更嚴重。據該公司表示,Coherent已將InP產能提高一倍,仍無法滿足需求。
三大主導性基板製造商正競相擴產。住友電工已將產能提升至原先的3.1倍,JX計劃投入1,200億日圓(約8億美元)以將產出擴大7至10倍,AXT則目標在2026年底前將產能翻倍,並於2027年再次倍增。
InP是三大整合光子平台之一,也是唯一能同時導光與發光的直接能隙半導體,使其成為光模組內部雷射的核心材料。分散式回饋雷射與連續波雷射——InP的主要產品——位於每個光收發模組的核心。隨著AI訓練叢集擴展至數十萬顆GPU,光模組正從400G和800G邁向1.6T及3.2T。一個800G收發模組使用四個光通道;1.6T模組則使用八個,且每個通道都需要各自獨立的InP基雷射與偵測器。因此,從800G升級至1.6T,每個模組的InP含量幾乎翻倍。
Yole Group估計,AI叢集的互聯需求每兩年增長70倍,而通道速度每四年僅翻倍、交換器頻寬每兩年才翻倍。該研究機構預測,光模組市場將從2021年的約100億美元成長至2031年的1,120億美元,年複合成長率接近35%,此成長由超大規模資料中心資本支出支撐——僅2026年即達6,700億美元,2026至2031年間累計將達5.3兆美元。
現有供應鏈並非為此規模而建。InP基板生產有相當大比例與中國相關,當北京對銦相關材料實施出口許可證制度後,延誤幾乎立即在供應網絡中擴散。
基板是光學晶片的基礎——雷射、調變器與偵測器皆需在高品質InP單晶上進行磊晶生長。缺陷密度、晶體均勻度與平坦度決定了元件的良率與壽命,因此控制高端基板是AI光學鏈中最難以替代的一環。
住友電工是最大的InP基板供應商,佔高端半絕緣基板市場約40%,並供應材料給Nvidia與Broadcom的光模組供應鏈。其優勢在於液體密封柴可拉斯基法(LEC)晶體生長製程,透過精確控制溫度場與磷蒸氣壓,生產出低位錯密度的6吋晶圓——這項技術建立在數十年的經驗之上,競爭對手無法迅速複製。
JX先進金屬營運垂直整合業務,涵蓋高純度金屬精煉、InP單晶生長與基板加工,擁有超過40年的製造經驗。AXT的製造部門為北京通美晶體技術公司(Beijing Tongmei),是頂級廠商中唯一的中美合資背景製造商,採用自家垂直梯度凝固(VGF)技術生長大型InP晶體。其產品供應給IQE、聯亞光電(LandMark)、全新光電(VPEC)及Coherent等磊晶與光學晶片製造商。
稀缺性有利於這三家現有基板製造商,隨著AI光學需求超過供給,它們握有定價權。Lumentum正將InP電吸收調變雷射從每通道40Gbps推進至400Gbps,並已展示約350mW的16波長光源,同時業界正朝向異質整合的方向發展——以矽基板搭配InP光源與鈮酸鋰調變。風險不在於InP會被取代——短期內在1310nm與1550nm波段尚無成熟材料能完全替代它——而在於產能能否跟上AI在成本與數量上的需求。
本文僅供資訊參考,不構成投資建議。