長鑫存儲LPDDR6逼近量產 12.8 Gbps挑戰SK海力士

中國長鑫存儲在行動記憶體領域正縮小差距，LPDDR6晶片接近最終驗證，並計劃於年底前小規模量產。

長鑫存儲首款LPDDR6晶片目標速度12,800 Mbps，已接近開發驗證尾聲，使這家中記憶體廠商與SK海力士及三星進入相同的量產時程，而此時AI需求已超出供應。

「上市並不會改變三大廠商或整個產業的前景，因為對所有人而言，需求持續超過供應。」MST Financial資深分析師David Gibson表示。

長鑫存儲首款LPDDR6設計目標為每針腳12,800 Mbps、每晶粒16Gb容量，較JEDEC JESD209-6標準的14.4 Gbps上限低約11%，而SK海力士的1c製程晶片正是針對該標準上限打造。根據晨星分析師魏靜潔（Wei Jingjie）的看法，此差距反映了長鑫存儲依賴深紫外光多重圖案化技術——在美國出口管制下無法進口艾司摩爾（ASML）的EUV機台——使得生產同等產出所需的晶圓數量比競爭對手多約30%。

此里程碑緊隨長鑫存儲在上海的轟動上市之後，其股價一度飆漲466%。該公司目前佔全球DRAM供應約8%，相較三星的38%與SK海力士的29%。據知情人士透露，長鑫存儲計劃於今年底前小規模生產，待原型測試結果令人滿意後再進入量產。

12.8 Gbps與14.4 Gbps的差距是微影技術的故事

LPDDR6由JEDEC於2025年7月標準化為JESD209-6，採用雙子通道架構，每晶粒配備24條數據信號線，每針腳最高支援14.4 Gbps——換算總頻寬為每秒38.4 GB，約為LPDDR5X最快速度的2.25倍。長鑫存儲首款晶片目標12.8 Gbps，這是該公司完全基於深紫外光多重圖案化技術的G4製程節點，能以可接受的成本量產的設計速度。

DUV設備使用193奈米波長的光，每層需要進行二至四次曝光遍次，在導體對準上累積微小疊對誤差。在LPDDR6速度下，隨著數據速率攀升，信號時序窗口變窄，這些誤差很可能迫使進行速度分級——部分晶粒被評為12.8 Gbps而非14.4 Gbps的上限。SK海力士使用EUV的1c製程，則以13.5奈米波長單次曝光每層，通往標準上限的路徑更為乾淨。縮小此差距所需的設備無法進口到中國：艾司摩爾從未向任何中國客戶出貨EUV機台，而荷蘭自2019年以來在美國壓力下維持的出口規定也禁止此類銷售。

然而，長鑫存儲的研發速度仍值得關注。該公司從2023年LPDDR5量產，到2025年LPDDR5X客戶送樣，在不到三年內跨越了兩個世代。2025年研發投入達人民幣95.93億元（約14.2億美元），年增51%，2023年至2025年累計研發支出超過人民幣206億元（約30.5億美元）。2026年第一季營收達人民幣508億元（約75.2億美元），暴增719%，原因是該公司填補了三星、SK海力士與美光在將晶圓產能轉向AI伺服器高頻寬記憶體後所留下的標準DRAM缺口。

誰能贏得小米之爭

SK海力士已確認量產準備將於2026年上半年完成，出貨自下半年開始，小米被廣泛報導為首個智慧型手機客戶。這家南韓製造商一直在鎖定中國品牌——小米之後，據報將是OPPO與Vivo——以期在長鑫存儲能提供合格替代方案之前搶下LPDDR6設計訂單。這之所以重要，是因為LPDDR記憶體直接焊接在手機電路板上；為LPDDR6設計的裝置必須從零開始搭配相容的記憶體控制器，且供應商關係通常橫跨二至三個產品週期。

截至本報導發布時，長鑫存儲尚未在任何OEM廠商獲得已確認的LPDDR6設計訂單。其現有的LPDDR5與LPDDR5X產品，去年佔核心營收66.43%，已供應小米、OPPO、Vivo及榮耀——這些關係可為其提供早期認證的途徑。蘋果在iPhone 18系列上仍採用LPDDR5X，使Android裝置成為LPDDR6的首個行動端試驗場。首款搭載LPDDR6的智慧型手機預計於2027年問世。

對投資人而言，問題在於長鑫存儲能否將設計速度的宣稱轉化為商業良率量產。「根據其目前的開發與生產進度，在AI驅動的記憶體需求開始正常化之前，長鑫存儲要大幅縮小差距仍將充滿挑戰。」集邦科技分析師Ellie Wang表示。長鑫存儲股價週五在上海證券交易所上漲超過5%。Counterpoint Research研究總監MS Hwang闡述了兩種情境：「多頭情境是技術追趕成功。空頭情境是無法克服設備管制及HBM等技術障礙。」

本文僅供參考之用，不構成投資建議。