ASML、台積電與三星承諾採用12吋光罩推進High NA EUV技術

ASML與台積電正推動半導體產業在High NA EUV微影技術中採用12吋光罩，這項轉變可望將掃描機產能提升40%，並降低AI時代晶片生產成本。

「High NA EUV的採用將沿著裝置微縮藍圖逐步推進，初期使用現有的6吋光罩，其後再由12吋光罩進一步支援，以實現更高的掃描機生產力。」ASML總裁暨執行長富凱（Christophe Fouquet）表示。

台積電計劃自2030年起在高階製程的大量生產中部署High NA系統，目標於2031年前建立12吋光罩試驗生產線，並於2033年前完成可供量產的完整微影系統。三星電子計劃最早於2028年將High NA EUV應用於記憶體大量生產，而英特爾已接收相關機台，每台成本約4億美元。據ASML技術長馬可・彼得斯（Marco Pieters）表示，更大的光罩格式消除了拼接限制（即電路必須在光罩邊界上分割並重新連接的問題），可使High NA機台的產能提升40%。

這項協調一致的推動行動，讓ASML三大客戶——台積電、三星與英特爾——齊聚於其High NA技術藍圖之下，其中僅台積電一家即佔ASML營收約16%。對於競相滿足AI驅動高階製程需求的晶片製造商而言，這項轉型解決了長期以來迫使晶片設計與封裝做出妥協的瓶頸問題。

光罩尺寸為何重要

光罩是在微影製程中將電路圖案轉印至矽晶圓的精密模板。業界數十年來一直使用6吋光罩，但隨著電晶體架構日益複雜——尤其是需要密集邏輯與記憶體整合的AI加速器——較小的格式迫使晶片製造商拼接多個光罩區域，增加了成本並限制了設計靈活性。

轉向12吋光罩消除了這一限制。彼得斯表示，更大的格式可將High NA機台的產能提升40%，同時簡化設計流程。這一生產力增益是High NA EUV經濟效益的核心，該系統單價高達約4億美元——這一門檻使得台積電至今對採用持審慎態度。

台積電董事長暨總裁魏哲家將此計畫定位為集體產業合作。「當整個產業攜手解決複雜問題時，我們就能釋放出任何單一公司都無法獨自實現的可能性。」他表示。

三大聯盟，同一標準

ASML與台積電於9月7日（在加州蒙特雷舉行的SPIE BACUS會議前夕）發布的公告，並非通往12吋光罩的唯一路徑。三星電子表示將加入ASML的大幅面光罩聯盟，而英特爾過去三年多來一直透過與ASML的合作，投入更大尺寸光罩的推動工作。

三星的定位獨特：它是全球唯一同時營運記憶體生產與晶圓代工服務的晶片製造商。該公司計劃將12吋光罩技術應用於未來各代DRAM及邏輯晶圓代工製程，並計劃於2028年將High NA EUV用於記憶體大量生產。三星副董事長暨執行長全永賢表示，公司將加強與ASML的合作，為AI運算奠定技術基礎。

三個獨立聯盟圍繞同一12吋標準匯聚，對更廣泛的供應鏈意義重大。光罩供應商、設備廠商與材料公司都需將其技術藍圖對齊至單一格式轉型，以降低整個產業的碎片化風險。

對ASML而言，此計畫為其最昂貴的產品線消除了關鍵的採用風險。High NA EUV系統代表該公司在2019年首度推出的低NA EUV之後的下一個成長引擎。隨著台積電——其最大客戶，約佔營收的16%——自2030年起承諾採用High NA，且三星目標於2028年用於記憶體，這些機台的需求管道將延伸至下一個十年。

12吋轉型亦對晶片經濟效益產生影響。更大的光罩意味著更少的拼接步驟、更高的良率與更低的每顆晶片成本——這在AI工作負載推升電晶體數量並使封裝複雜度增加之際至關重要。對於仰賴台積電高階製程的輝達（Nvidia）、超微（AMD）等AI晶片設計商而言，這項轉變可能轉化為更具成本效益的未來晶片世代。

據彭博數據，ASML股價在公告後上漲4.17%，台積電上漲2.85%，英特爾上漲4.51%。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。