3D NAND改採鉬材料將催生10億美元設備市場

3D NAND快閃記憶體正以鉬取代鎢字元線，隨著堆疊層數突破300層，預計到2027年將開啟一個規模達10億美元的沉積設備市場。

3D NAND快閃記憶體製造商在堆疊層數突破300層之際，正以鉬取代鎢字元線。研究機構SemiAnalysis估計，這項材料轉換到2027年將催生一個規模達10億美元的沉積設備市場。

SemiAnalysis於8月23日在X平台上表示：「鉬不是一項優化——它是300層以上NAND的必要條件。」

3D NAND約在十年前停止了橫向微縮，轉而依靠垂直堆疊來提升儲存密度。一旦層數超過約300層，連接每個記憶體單元的鎢字元線便會遭遇三項物理極限：電阻過高、含氟化學製程造成漏電，以及無法填充超深孔洞。鉬能同時解決這三項問題——電阻更低以實現更快的讀寫速度、不含氟化學物質，以及在深寬比較高的結構中填充效果更佳。

這項轉換讓科林研發（Lam Research）率先取得設備訂單，東京威力科創（Tokyo Electron）緊隨其後，而應用材料（Applied Materials）、ASMI及中國的北方華創則有望在DRAM和邏輯晶片日後採用該材料時受惠。SemiAnalysis預測，鉬沉積設備銷售額將從2027年的逾10億美元，成長至2030年每年約20億美元。

層數競賽勝負已定

SemiAnalysis將SK海力士置於堆疊競賽的領先地位，其層數達321層，領先三星電子的286層、美光科技（Micron Technology）的276層，以及鎧俠（Kioxia）/閃迪（SanDisk）的218層。邁向3xx至4xx層的跳躍已在進行中，所有主要製造商均已承諾採用鉬製程。

三星是先行者，其搭載鉬字元線的產品自2024年起已進入量產。美光於2025年在科林研發的ALTUS Halo設備上展開大規模生產，成為第二家將該製程商業化的製造商。SK海力士計劃於2026年底前推出採用鉬的375層NAND，這將進一步擴大其在層數競賽中的領先優勢。

SemiAnalysis估計，鉬在NAND總產能中的占比將從2025年的個位數中段百分比，攀升至2027年的約30%，反映業界採用該材料的速度之快。

長江存儲急起直追

中國的長江存儲（YMTC）透過其控股實體長江存儲科技控股（Changcun Holdings）急起直追。上海證券交易所已於8月21日受理長江存儲科技控股的科創板IPO申請，計畫募資330億元人民幣（約49億美元），用於產線升級與研發。

長江存儲科技控股於2024年轉虧為盈，並在2025年進一步擴大獲利，全年淨利達142.1億元人民幣（約21億美元），營收為631.8億元人民幣（約94億美元）。2025年第一季淨利達333.8億元人民幣（約50億美元），已超越2025全年數字，毛利率達76.77%。

然而，長江存儲並未出現在SemiAnalysis的300層以上競爭梯隊中，意味著在鉬材料轉換期間，其面臨技術與產能雙重追趕壓力。其2025年營收631.8億元人民幣，落後於三星電子的1.62兆元人民幣、SK海力士的4,721.6億元人民幣以及美光的2,994.8億元人民幣。

投資人應關注什麼

對設備供應商而言，僅鉬這一細分市場到2027年就相當於一家中型設備商的全年營收，且隨著DRAM和邏輯晶片跟進，可望在三年內翻倍。科林研發作為美光量產爬坡的既有供應商將率先受惠，而東京威力科創及後續採用者則掌握更廣泛的轉換商機。

對NAND製造商而言，率先完成鉬轉換的廠商將在300層以上產品中獲得性能優勢，進而影響高階儲存市場的市占版圖。關鍵里程碑包括SK海力士於2026年底前實現375層量產、美光在科林研發設備上的產能爬坡，以及三星的先發優勢能否轉化為市場占有率。長江存儲的IPO進展及其鉬材料路線圖也將影響全球NAND競爭格局。

本文僅供參考，不構成投資建議。