onsemi ra mắt danh mục GaN GaNEXUS nhắm thị trường chip điện 9 tỷ đô la

Danh mục điện gallium nitride GaNEXUS mới của onsemi giúp thu nhỏ linh kiện từ tính tới 60% và tăng mật độ công suất lên tới 2 lần so với các giải pháp silicon truyền thống, nhắm đến thị trường chip gallium nitride mà các nhà phân tích dự báo sẽ vượt 9 tỷ đô la vào năm 2030.

"GaNEXUS đang mở ra các kiến trúc mới cho thiết kế hệ thống điện," Antoine Jalabert, phó chủ tịch bộ phận GaN tại onsemi, cho biết. "Khi khách hàng yêu cầu nhiều năng lượng hơn trong không gian nhỏ hơn, công nghệ này mang đến cho các kỹ sư sự linh hoạt lớn hơn để vượt qua những ràng buộc vốn đã giới hạn các kiến trúc điện truyền thống."

Dòng sản phẩm ban đầu bao gồm GaNEXUS FET từ 40 volt đến 650 volt, cùng với các thiết bị GaNEXUS Smart 650V tích hợp tính năng bảo vệ giúp đơn giản hóa việc tích hợp hệ thống. Trong các hệ thống điện áp thấp và trung bình như bộ chuyển đổi trung gian 48-volt cho máy chủ AI và bộ pin dự phòng, danh mục này mang lại khả năng thu nhỏ linh kiện từ tính từ 30% đến 60%, mật độ công suất cao hơn 1,5 đến 2 lần, và cải thiện hiệu suất từ 0,5% đến 2% tùy theo cấu trúc liên kết. Đối với các ứng dụng điện áp cao hơn như tủ nguồn AI và tầng hiệu chỉnh hệ số công suất, onsemi tuyên bố giảm tới 60% linh kiện từ tính và cải thiện hiệu suất từ 0,5% đến 1%, những con số có ý nghĩa đáng kể khi nhân rộng ở quy mô trung tâm dữ liệu.

Đợt ra mắt diễn ra trong bối cảnh các trung tâm dữ liệu AI được dự báo sẽ tiêu thụ tới 9% sản lượng điện của Mỹ vào năm 2030, với chi phí điện năng và làm mát chiếm tới 40% tổng chi phí vận hành trung tâm dữ liệu, theo các ước tính ngành được onsemi trích dẫn. Mỗi điểm phần trăm cải thiện hiệu suất trong một cơ sở 100 megawatt có thể tương đương khoảng 1 triệu đô la tiết kiệm điện hàng năm, khiến lợi thế về tốc độ chuyển mạch của GaN trở nên có ý nghĩa kinh tế ở quy mô siêu lớn.

Các thiết bị GaNEXUS sử dụng vỏ bọc tăng cường nhiệt với chân cắm tiêu chuẩn ngành — TOLL Bottom Cooling, TOLT Top Cooling, và các tùy chọn làm mát kép 3,3 mm x 3,3 mm và 5 mm x 6 mm — để hỗ trợ nguồn cung kép. Khi kết hợp với Nền tảng Treo của onsemi cho cảm biến, điều khiển và quản lý năng lượng tích hợp, danh mục này cho phép các giải pháp điện toàn diện ở cấp độ hệ thống, giúp giảm độ phức tạp thiết kế và đẩy nhanh tiến độ chứng nhận.

Bối cảnh cạnh tranh nóng lên

onsemi gia nhập thị trường gallium nitride vốn đã đông đúc với nhiều tên tuổi có sẵn. Navitas Semiconductor, nhà lãnh đạo ngành trong lĩnh vực IC nguồn GaN, vào ngày 8 tháng 6 đã công bố vỏ bọc UHV-TO-247-4-ISO riêng cho MOSFET silicon carbide 1.200 volt đến 3.300 volt, nhắm đến chuyển đổi nguồn lưới điện và lưu trữ năng lượng pin. Navitas tuyên bố vỏ bọc mới của mình mang lại hiệu suất tương đương module ở dạng linh kiện rời, đồng thời loại bỏ nhu cầu cách ly điện áp cao bên ngoài.

Infineon Technologies và Texas Instruments cũng đã đầu tư mạnh vào GaN, với danh mục CoolGaN của Infineon trải dài trên các dải điện áp tương tự. Áp lực cạnh tranh còn lan đến cấp độ xưởng đúc: TSMC, công ty sản xuất wafer GaN-trên-silicon cho nhiều hãng chip, đã mở rộng các dịch vụ quy trình GaN khi nhu cầu từ khách hàng trung tâm dữ liệu và ô tô tăng tốc.

Các viện nghiên cứu đang thúc đẩy công nghệ này đi xa hơn. Fraunhofer IAF gần đây đã trình diễn một module nguồn dựa trên GaN cho hệ thống sạc DC hai chiều 800 volt, đạt 3 kilowatt công suất trong một bộ sạc ngoài xe 8,3 lít, nặng 5,7 kg. Dự án mang tên GaN4EmoBiL nhấn mạnh tiềm năng của GaN trong cơ sở hạ tầng sạc xe điện, nơi hiệu suất và sự nhỏ gọn ảnh hưởng trực tiếp đến chi phí áp dụng.

Góc nhìn đầu tư

Cổ phiếu onsemi đang giao dịch ở mức gấp khoảng 22 lần thu nhập dự phóng, thấp hơn mức trung bình 28 lần của Chỉ số Bán dẫn Philadelphia, phản ánh sự thận trọng của nhà đầu tư về mức độ tiếp xúc của công ty với thị trường ô tô và công nghiệp. Việc ra mắt GaNEXUS đa dạng hóa doanh thu của onsemi sang lĩnh vực phân phối điện cho trung tâm dữ liệu AI tăng trưởng nhanh hơn, nơi công ty đã cạnh tranh với danh mục silicon carbide EliteSiC. Nếu GaNEXUS chiếm được chỉ 5% thị trường chip GaN dự kiến đạt 9 tỷ đô la vào năm 2030, điều này sẽ tương ứng với khoảng 450 triệu đô la doanh thu tăng thêm — tương đương khoảng 4% doanh thu 12 tháng gần nhất của onsemi. Công ty không tiết lộ giá bán hay khách hàng đầu tiên cho GaNEXUS.

Bài viết này chỉ mang tính thông tin tham khảo và không cấu thành lời khuyên đầu tư.