Những điểm chính:
Quỹ ETF Roundhill Memory đã tăng vọt 150% kể từ khi ra mắt vào tháng 4, nhưng vận mệnh của nó giờ đây phụ thuộc vào việc giá chip nhớ có thể duy trì đà tăng do AI thúc đẩy cho đến cuối năm hay không.
Giá chip nhớ sẽ quyết định liệu ETF Roundhill Memory (CBOE:DRAM) có thể kéo dài mức tăng 150% từ đầu năm đến nay hay đảo ngược xu hướng, khi quỹ đầu tư thuần túy vào bộ nhớ đầu tiên niêm yết tại Mỹ bước vào chu kỳ định giá quan trọng.
"Chu kỳ giá DRAM và NAND trong lịch sử thường dao động từ 40% đến 60% trong vòng một năm, và chu kỳ tăng trưởng do AI thúc đẩy lần này cũng không ngoại lệ," Nam Hyung Kim, nhà phân tích bán dẫn tại Arete Research, cho biết. "Câu hỏi đặt ra là liệu nhu cầu HBM có thể bù đắp cho sự suy thoái của thị trường bộ nhớ hàng hóa thường xảy ra sau đó hay không."
DRAM ra mắt vào ngày 2 tháng 4 với 15 cổ phiếu nắm giữ tập trung vào ba cái tên — Micron Technology 28,4%, SK Hynix 27,1% và Samsung Electronics 19,5%. Quỹ đã huy động được 15 tỷ USD tài sản ròng và trở thành ETF nhanh nhất đạt 6,5 tỷ USD, theo dữ liệu từ Yahoo Finance. Mức lợi nhuận 150,6% của quỹ vượt xa iShares Semiconductor ETF (SOXX) ở mức 90% và VanEck Semiconductor ETF (SMH) ở mức 68,8% trong cùng kỳ.
Sự tập trung hẹp đã thúc đẩy đà tăng của DRAM cũng tạo ra điểm yếu. Nếu giá bộ nhớ giảm — như trong đợt suy thoái năm 2022 đã xóa sạch 40% doanh thu của Micron — cấu trúc quá tập trung vào một số cổ phiếu của quỹ có nghĩa là tin xấu từ một khoản nắm giữ duy nhất có thể gây ra thua lỗ lớn. Các nhà đầu tư nắm giữ DRAM thực chất đang đặt cược có đòn bẩy vào chu kỳ định giá bộ nhớ, với rất ít sự đa dạng hóa để giảm thiểu rủi ro đảo chiều.
Nhu cầu HBM là ẩn số lớn
Bộ nhớ băng thông cao đã trở thành điểm nghẽn trong quá trình xây dựng cơ sở hạ tầng AI. Chip HBM3E, cung cấp băng thông 1,2 terabyte mỗi giây cho mỗi chồng chip, được sử dụng trong GPU H200 của Nvidia, trong khi HBM4 thế hệ tiếp theo vượt quá 3 terabyte mỗi giây. SK Hynix và Micron đều báo cáo mức chênh lệch lợi nhuận gấp 5 lần trên các sản phẩm HBM so với DRAM tiêu chuẩn, theo các cuộc gọi báo cáo thu nhập của họ.
Sự chuyển dịch sang HBM4 đã buộc các nhà sản xuất phần cứng AI phải thiết kế lại hệ thống xung quanh kiến trúc bộ nhớ mới, thúc đẩy nhu cầu. Nhưng mức định giá cao cấp mà các nhà sản xuất bộ nhớ đang được hưởng hiện nay không được đảm bảo. Samsung, SK Hynix và Micron đều đã công bố kế hoạch mở rộng công suất sản xuất HBM, làm gia tăng nguy cơ dư cung vào đầu năm 2027.
Điều gì sẽ xảy ra với DRAM nếu giá giảm
Một sự lặp lại của đợt điều chỉnh bộ nhớ năm 2022 — khi giá DRAM giảm 45% và giá NAND giảm 55%, theo dữ liệu từ TrendForce — sẽ tác động mạnh nhất đến các khoản nắm giữ hàng đầu của DRAM. Micron, công ty có khoảng 70% doanh thu từ các sản phẩm DRAM, sẽ phải đối mặt với rủi ro trực tiếp nhất. Samsung và SK Hynix, mặc dù đa dạng hóa hơn sang NAND và dịch vụ gia công, vẫn sẽ chịu áp lực đáng kể lên lợi nhuận.
Tỷ lệ chi phí 0,65% của quỹ có tính cạnh tranh so với các ETF bán dẫn rộng hơn, nhưng sự thiếu đa dạng hóa vào các cổ phiếu vi xử lý hoặc sản xuất đồng nghĩa với việc quỹ không có hàng rào bảo vệ nào trước một đợt suy thoái đặc thù của ngành. Ngược lại, SOXX và SMH nắm giữ các vị thế trong Nvidia, TSMC và ASML, mang lại sự tiếp xúc với thị trường thiết kế chip và thiết bị có thể hoạt động tốt hơn trong một đợt điều chỉnh bộ nhớ.
Đối với các nhà đầu tư, phép tính rất đơn giản: DRAM mang lại tiềm năng tăng giá cao nhất trong vũ trụ ETF bán dẫn nếu giá bộ nhớ được duy trì, nhưng cũng chịu rủi ro giảm giá cao nhất nếu chúng đảo chiều. Tỷ lệ giá trên thu nhập 55,4 của quỹ, dựa trên thu nhập trượt của các khoản nắm giữ, để lại rất ít dư địa cho sai sót. Bất kỳ dấu hiệu nào cho thấy nhu cầu HBM suy yếu hoặc mức tồn kho gia tăng đều có thể kích hoạt một đợt định giá lại có thể xóa sạch một phần đáng kể lợi nhuận từ đầu năm đến nay.
Bài viết này chỉ mang tính chất tham khảo và không cấu thành lời khuyên đầu tư.
