onsemi、GaNEXUS窒化ガリウム電源ポートフォリオ投入—90億ドルのパワーチップ市場を狙う

onsemiの新たなGaNEXUS窒化ガリウム電源ポートフォリオは、従来のシリコンソリューションと比較して磁気部品を最大60%削減し、電力密度を最大2倍に向上。アナリストらは2030年までに窒化ガリウムチップ市場が90億ドルを超えると予測している。

「GaNEXUSは、電源システム設計に新たなアーキテクチャをもたらしています」とonsemiのGaN部門バイスプレジデント、アントワーヌ・ジャラベール氏は述べた。「顧客がより狭いスペースでより多くの電力を求める中、GaNEXUSは従来の電源アーキテクチャの制約を克服する柔軟性をエンジニアに提供します。」

初期ラインナップには、40Vから650VのGaNEXUS FETに加え、システム統合を簡素化する保護機能を内蔵したGaNEXUS Smart 650Vデバイスが含まれる。AIサーバー用48V中間バスコンバータやバッテリーバックアップユニットなどの低中電圧システムでは、磁気部品を30%～60%小型化、電力密度を1.5～2倍向上、トポロジに応じて0.5%～2%の効率改善を実現する。AI電源シェルフや力率改善段などの高電圧アプリケーションでは、onsemiは磁気部品を最大60%削減し、0.5%～1%の効率改善を主張。データセンター規模ではこれらの改善が複合的に大きな効果を生む。

onsemiが引用した業界推計によると、今回の発表は、AIデータセンターが2030年までに米国総発電量の最大9%を消費し、電力と冷却コストがデータセンター総運営費の最大40%を占めると予測される中で行われた。100メガワットの施設における1%の効率改善は、年間約100万ドルの電力節約に相当し、ハイパースケール環境ではGaNのスイッチング速度優位性が経済的に大きな意味を持つ。

GaNEXUSデバイスは、業界標準のフットプリントを持つ熱強化パッケージ（TOLLボトムクーリング、TOLTトップクーリング、デュアルクーリングの3.3mm×3.3mmおよび5mm×6mmオプション）を採用し、デュアルソーシングに対応する。onsemiのセンシング、制御、電源管理を統合したTreoプラットフォームと組み合わせることで、設計の複雑さを低減し、認証期間を短縮する完全なシステムレベルの電源ソリューションが実現可能となる。

競争激化する市場環境

onsemiは、すでに多くの有力プレイヤーがひしめく窒化ガリウム市場に参入する。GaNパワーIC業界のリーダーであるNavitas Semiconductorは6月8日、1,200V～3,300VのシリコンカーバイドMOSFET向けに自社のUHV-TO-247-4-ISOパッケージを発表。系統連系電力変換とバッテリーエネルギー貯蔵をターゲットとしている。Navitasは、この新パッケージがディスクリート形状でモジュール級の性能を実現し、外部高電圧絶縁を不要にすると主張する。

Infineon TechnologiesやTexas InstrumentsもGaNに多額の投資を行っており、InfineonのCoolGaNポートフォリオは同様の電圧範囲をカバーしている。競争圧力はファウンドリレベルにも及んでおり、複数のチップメーカー向けにGaN-on-Siliconウェハを製造するTSMCは、データセンターや自動車顧客からの需要加速を受け、GaNプロセス品揃えを拡大している。

研究機関も技術をさらに推し進めている。Fraunhofer IAFは最近、800V双方向DC充電システム向けGaNベースのパワーモジュールを実証し、8.3リットル、5.7kgのオフボード充電器で3キロワットの電力を達成した。GaN4EmoBiLと名付けられたこのプロジェクトは、効率とコンパクトさが導入コストに直接影響する電気自動車充電インフラにおけるGaNの可能性を示している。

投資分析

onsemiの株価は予想利益の約22倍で取引されており、フィラデルフィア半導体指数の平均28倍を下回っている。これは、自動車および産業用エンド市場へのエクスポージャーに対する投資家の慎重姿勢を反映している。GaNEXUSの投入により、onsemiは既にEliteSiCシリコンカーバイドポートフォリオで競合するAIデータセンター向け電力供給という成長分野に収益源を多様化する。GaNEXUSが2030年までに予測される90億ドルのGaNパワー市場のわずか5%を獲得した場合、約4億5,000万ドルの増収となり、onsemiの過去12か月間の売上高の約4%に相当する。同社はGaNEXUSの価格や初期的な顧客獲得状況については開示しなかった。

本記事は情報提供のみを目的としており、投資助言を構成するものではありません。