Micron inicia la expansión de su fábrica en Virginia de 2.000 millones de dólares para cuadruplicar la memoria DDR4 fabricada en EE. UU.

Micron Technology Inc. (Nasdaq: MU) ha comenzado la fabricación de DRAM 1α (1-alpha) en sus instalaciones de Manassas, Virginia, una medida que cuadruplica su producción nacional de memoria DDR4 y marca el nodo de memoria más avanzado jamás producido en los Estados Unidos. La expansión aborda una necesidad crítica de memoria de ciclo de vida prolongado en sectores ajenos al auge de los centros de datos de IA, fortaleciendo la cadena de suministro de EE. UU. para aplicaciones industriales, automotrices y de defensa.

"El logro de hoy es un paso importante en el plan de inversión de 200.000 millones de dólares de Micron para expandir la fabricación de memoria y el I+D en los EE. UU.", dijo Sanjay Mehrotra, presidente y director ejecutivo de Micron. "Estamos orgullosos de traer la fabricación avanzada de DRAM 1α a suelo estadounidense, fortaleciendo el suministro nacional para los clientes de EE. UU. y los mercados globales a los que servimos".

Se espera que la inversión de más de 2.000 millones de dólares en la fábrica de Manassas ponga en funcionamiento la producción calificada de productos DDR4 y LP4 basados en 1α para finales del año calendario 2026. El proyecto, respaldado por incentivos federales y estatales, apoya directamente más de 3.100 empleos en la región. El secretario de Comercio de EE. UU., Howard Lutnick, presente en el evento de lanzamiento, afirmó: "Finalmente estamos construyendo semiconductores de memoria en Estados Unidos... La masiva inversión nacional de 200.000 millones de dólares de Micron cuadruplicará la producción estadounidense de chips de memoria para la industria, automoción, defensa y aeroespacial".

Esta expansión estratégica proporciona un suministro dedicado para los clientes que requieren soporte a largo plazo para nodos de memoria maduros, un segmento que siente la presión del giro de la industria hacia la memoria de alto ancho de banda (HBM). Si bien Micron es un actor clave en el mercado de HBM para servidores de IA, esa tecnología consume casi tres veces la capacidad de oblea de la DRAM DDR5 tradicional, según el análisis de la industria. Al expandir su capacidad de DDR4 1α, Micron asegura que sus clientes industriales y automotrices no se queden atrás mientras la producción de HBM tensiona el suministro global.

Wall Street evalúa la estrategia de suministro nacional

El anuncio se produce durante un período volátil para las acciones de memoria. Las acciones de Micron cayeron aproximadamente un 1 por ciento a 754,61 dólares el viernes, tras una ganancia del 4,1 por ciento el día anterior. La medida para reforzar la producción de DDR4 es parte de una estrategia de inversión en EE. UU. mucho mayor de 200.000 millones de dólares, que incluye nuevos centros de fabricación de vanguardia en Idaho y Nueva York programados para producir obleas a partir de mediados de 2027.

Wall Street sigue siendo ampliamente positivo sobre la trayectoria de Micron, impulsada por la insaciable demanda de memoria en la era de la IA. Bank of America Securities aumentó recientemente su precio objetivo para la acción a 950 dólares, mientras que Mizuho había fijado previamente un objetivo de 800 dólares, citando dinámicas de precios favorables tanto para DRAM como para NAND. La acción se ha disparado un 935 por ciento en los últimos tres años, reflejando el ciclo de auge del sector de la memoria.

El enfoque de Micron en la fabricación nacional y diversificada contrasta con competidores como Samsung Electronics, que recientemente navegó por una posible huelga laboral en Corea del Sur. Al invertir fuertemente en su presencia en Virginia, Idaho y Nueva York, Micron se está posicionando como un proveedor nacional crítico, una medida elogiada por funcionarios de la Administración Trump y del estado de Virginia por sus implicaciones económicas y de seguridad nacional.

Este artículo es solo para fines informativos y no constituye asesoramiento de inversión.